一体成型碳化硅反应芯片相较于全氟密封垫工艺、热压键合工艺的优势

无压烧结碳化硅反应芯片复杂中空内通道的加工是世界性难题，热压键合工艺制成的碳化硅微通道反应器芯片是由反应上片石墨键合反应下片制成，成本高，周期长，技术难，成品率低，而全氟密封垫工艺制成的碳化硅微通道反应器芯片是紧固螺丝，反应上片，全氟垫片，反应下片构成，成本高，性能差，维护难，寿命短。而中空反应通道一体成型，无缝衔接，无后续加工。能够严格防止内漏，耐压耐温性能提高50%，有更加复杂的反应通道，突破行业芯片，尺寸增大2倍。